價格:電議
所在地:北京
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更新時間:2014-12-12
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18618315708 包經理(女士) 銷售經理
太陽能多晶硅晶片和單晶硅晶片的生產過程涉及到機械,濕化學,熱學和電子物理過程,從硅碇上切割下的晶片,進行蝕刻,摻雜。所有這些工藝過程,以及工藝間的晶片搬運,都會引入應力,從而導致晶片的缺陷。例如 微裂紋(包括硅片表層內部的微裂紋)、針孔、雜質、污垢、內部氣泡等。 在制作電池片以前,必須對晶片進行檢測分級,穩定可靠的識別缺陷。 右圖的樣品顯示的微裂紋,由于機械拉伸引起。這類缺陷非常嚴重,因為裂紋就是潛在的斷裂點。
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