母合金 半導體拉晶的重要摻雜元素 產品特點 進口12N電子原生多晶硅，配摻高純度硼粉（7N）級。目前廣泛應用在拉單晶上的為硅硼負三合

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    我公司經營的主要產品有：硅料分選測試儀（電阻率，PN型識別）、電阻測試儀、排重摻測試儀、少子壽命測試儀、測厚儀、碳氧磷硼含量測試儀，表面線痕測試儀，光譜橢偏儀，透過率測試儀、相關產品配件，以及鎵摻雜劑、母合金摻雜劑，異丙醇，雙氧水等耗材。

    羲和的名稱來源于中國的太陽神羲和女神，作為太陽能光伏產業的一份子，為提高太陽能電池生產過程的可控性，最大限度的減少過程風險，羲和科技在不懈追求、積極探索，我們深感肩頭的重任，我們會倍加努力，持之以恒，給您提供最優質的產品、最優惠的價格和最滿意的服務。

母合金
半導體拉晶的重要摻雜元素

產品特點
進口12N電子極原生多晶硅，配摻高純度硼粉（7N）級。目前廣泛應用在拉單晶上的為硅硼負三合金。

母合金摻雜計算方法
電阻率P的單晶，它的頭部對應的的雜質濃度為C頭，多晶硅原料的重量為W，母合金的雜質濃度為C母，應摻母合金重量為M
應摻母合金重量為M =W*C頭/（K*C母—C頭），其中K為摻雜劑原素在硅中的平衡分凝系數。

參數
■ 硅單晶P型10的-3次方母合金
■ 電阻率:0.007-0.009Ω/cm2
■ 雜質含量指標
硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
1.13*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18

■ 硅單晶P型10的-3次方母合金
■ 電阻率:0.003-0.004Ω/cm2
■ 雜質含量指標
硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
3.04E+19 <5E+16 <1E+18

■ 硅單晶N型10的-3次方母合金
■ 電阻率:0.002-0.005Ω/cm2
■ 雜質含量指標
磷含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
2.24*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18


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