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IGBT電子元器件失效分析實驗室

西安長禾半導體技術有限公司

會員指數(shù)：

企業(yè)認證：

價格：電議

所在地：陜西西安市

型號：

更新時間：2024-05-08

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公司地址：西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號創(chuàng)新商務公寓1號樓10310室

17792574070 蒲經(jīng)理(先生) 經(jīng)理

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產品簡介

IGBT測試 IGBT電子元器件失效分析實驗室

公司簡介

西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業(yè)，是國家CNAS 認可實驗室，屬于國家大功率器件測試服務中心。長禾實驗室擁有尖端的系統(tǒng)設備、專業(yè)的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現(xiàn)有的測試儀器設備100余臺套，專業(yè)測試人員20余名。我們緊跟國內標準，以客戶需求為導向，不斷創(chuàng)新服務項目和檢測技術，借助便利的服務網(wǎng)絡，為合作伙伴提供優(yōu)質高效的技術服務。長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業(yè)務范圍主要涉及國內軌道交通、風力發(fā)電、科研單位、軍工院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導體（寬禁帶半導體）應用解決方案服務商。長禾實驗室秉承創(chuàng)新務實的經(jīng)營理念，為客戶提供優(yōu)質的服務、完善的解決方案及全方位的技術支持；同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測試技術與服務水平不斷提升。誠信立世，感恩回饋，歡迎選擇長禾實驗室做您忠誠的合作伙伴，共謀發(fā)展大計！

展開

產品說明

長禾實驗室檢測能力范圍
1	功率金屬氧化物場效應管	1	漏源間反向擊穿電壓	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3407.1	只測： -3.5kV～3.5kV
		1	漏源間反向擊穿電壓	半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3407	只測： -3.5kV～3.5kV
		2	通態(tài)電阻	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3421.1	只測： 0～10k?,,0～1500A
		3	閾值電壓	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3404	只測： -10V～10V
		4	漏反向電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3415.1	只測： -100mA～100mA
		5	柵漏電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3411.1	只測： -100mA～101mA
		6	體二管壓降	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4011.4	只測： 0A～1500A
		7	跨導	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3475.2	只測： 1ms～1000s
		8	開關時間	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3472.2	只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
		9	開關時間	半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3472	只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
		10	體二管反向恢復時間	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1	只測： 10ns～2μs
		11	體二管反向恢復電荷	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1	只測： 1nC～100μC
		12	柵電荷	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3471.3	只測： Qg：0.5nC～500nC
		13	單脈沖雪崩能量	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3470.2	只測： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
		14	柵串聯(lián)等效電阻	功率MOSFET柵串聯(lián)等效電阻測試方法 JESD24-11:1996(R2002)	只測： 0.1Ω～50Ω
		15	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3161.1	只測： Ph：0.1W～250W
		16	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3161	只測： Ph：0.1W～250W
		17	輸入電容	半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		18	輸出電容	半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		19	反向傳輸電容	半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		20	老煉試驗	半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042	只測：條件A、條件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃
		21	老煉試驗	溫度，反偏和操作壽命試驗 JESD22-A108F:2017	只測： HTRB和HTGB試驗
		22	間歇功率試驗	半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042	只測：條件D（間歇功率）
		23	穩(wěn)態(tài)功率試驗	半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042	只測：條件C（穩(wěn)態(tài)功率）
2	二管	1	反向漏電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4016.4	只測： 0～100mA
		1	反向漏電流	半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 4016	只測： 0～100mA
		2	反向擊穿電壓	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4021.2	只測： 0～3.5kV
		3	正向壓降	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4011.4	只測： IS：0A～6000A
		3	正向壓降	半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 4011	只測： IS：0A～6000A
		4	浪涌電流	半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 4066	只測： If：0A～9000A
		5	反向恢復電荷	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1	只測： 1nC～100μC
		5	反向恢復時間	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1	只測： 10ns～2us
		6	二管反壓變化率	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3476	只測： VR：5V～3300V， IF：1A～1500A
		7	單脈沖雪崩能量	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4064	只測： L：0.01mH～159.9mH， IAS：0.1A～1500A
		7	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3136	只測： Ph：0.1W～80W
		8	總電容電荷	半導體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.8	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		9	結電容	半導體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.8	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
3	晶閘管	1	門觸發(fā)電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4221.1	只測： 100nA～500mA
		2	門觸發(fā)電壓	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4221.1	只測： 5mV～5V
		3	維持電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4201.2	只測： 10μA～1.5A
		4	擎住電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4201.2	只測： 10μA～1.5A
		5	浪涌電流	半導體測試方法測試標準 JB/T 7626-2013	只測： ITSM：0A～9000A
		6	正向漏電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4206.1	只測： 1nA～100mA
		7	反向漏電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4211.1	只測： 1nA～100mA
		8	正向導通壓降	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4226.1	只測： IT：0～6000A
		9	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3181	只測： Ph：0.1W～250W
4	晶體管	1	直流增益	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3076.1	只測： 1～50000
		2	集射飽和壓降	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3071	只測： 0～1250A
		3	集射電關態(tài)電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3041.1	只測： 0～100mA
		4	集基電關態(tài)電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3036.1	只測： 0～100mA
		5	射基關態(tài)電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3061.1	只測： 0～100mA
		6	集射反向擊穿電壓	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3011.2	只測： -3.5kV～3.5kV
		6	集射反向擊穿電壓	半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3011	只測： -3.5kV～3.5kV
		7	集基反向擊穿電壓	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3001.1	只測： -3.5kV～3.5kV
		8	射基反向擊穿電壓	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3026.1	只測： -3.5kV～3.5kV
		9	基射電壓	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3066.1	只測： 0V～1250A
		10	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3131.6	只測： Ph：0.1W～250W
5	絕緣柵雙型晶體管	1	集射間反向擊穿電壓	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3407.1	只測： -3.5kV～3.5kV
		1	集射間反向擊穿電壓	半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3407	只測： -3.5kV～3.5kV
		2	通態(tài)電壓	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3405.1	只測： 0～1500A
		3	通態(tài)電阻	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3421.1	只測： 0～10k?
		4	集電反向漏電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3415.1	只測： 0～100mA
		5	柵漏電流	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3411.1	只測： 0～100mA
		6	跨導	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3475.2	只測： 1ms～1000s
		7	開關時間&損耗	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3477.1	只測： VD：5V～3.3kV， ID：0.5A～1500A
		7	開關時間&損耗	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12	只測： 5V～3.3kV
		8	短路耐受時間	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3479	只測： ISC：10A～5000A ， TSC：1us～50us
		8	短路耐受時間	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.2.6	只測： 5V～3.3kV
		9	柵電荷	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3471.3	只測： Qg：0.5nC～100uC
		9	柵電荷	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.9	只測： 5V～3.3kV
		10	二管反向恢復時間	半導體器件分立器件第2部分：整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.6	只測： 5V～3.3kV
		11	單脈沖雪崩能量	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3470.2	只測： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
		12	柵串聯(lián)等效電阻	功率MOSFET柵串聯(lián)等效電阻測試方法 JESD24-11:1996(R2002)	只測： 0.1Ω～50Ω
		13	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3103	只測： Ph：0.1W～250W
		16	輸入電容	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.6	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		17	輸出電容	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.7	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		18	反向傳輸電容	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.8	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		19	反偏安全工作區(qū)	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.2.5	只測： 5V～3.3kV
6	通用電子產品	1	高低溫循環(huán)試驗	半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1051	只測：溫度： -80℃～150℃，容積： 40cm×37.5cm×40cm
		1	高低溫循環(huán)試驗	溫度循環(huán) JESD22-A104E:2014	只測：溫度： -80℃～150℃，容積： 40cm×37.5cm×40cm
		2	高溫試驗	微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005 1008.1	只測溫度：200℃，容積： 61cm×90cm×60cm
				半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1031, 1032	只測溫度：200℃，容積： 61cm×90cm×60cm
				電工電子產品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗B：高溫 GB/T 2423.2-2008	只測溫度：200℃，容積： 61cm×90cm×60cm
		3	低溫試驗	電工電子產品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗A：低溫 GB/T 2423.1-2008	只測溫度：-70℃，容積： 40cm×37.5cm×40cm
		4	高溫存儲壽命試驗	高溫存儲壽命試驗 JESD22-A103E:2015	只測溫度：180℃，容積： 58cm×76cm×75cm
		5	低溫存儲壽命試驗	低溫存儲壽命試驗 JESD22-A119A:2015	只測溫度：-70℃，容積： 40cm×37.5cm×40cm

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