橢偏儀為一種光學系膜厚測量裝置，這個裝置的特點是可以測量1nm一下的薄膜，也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。ME-210-T 活用了本公司特有的偏光Senor 技術，將不能變為可能，以往的技術是無法測量0.5mm厚的玻璃基板，在這項技術下，可進行薄膜的測量，舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估，也可運

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高速Mapping橢偏儀（適用透明基板）ME-210-T

橢偏儀適用透明基板的高速Mapping橢偏儀 ···可測量透明基板上的光阻膜及配向膜分布

橢偏儀,膜厚測量儀,光學膜厚測量儀橢偏儀為一種光學系膜厚測量裝置，膜厚測量儀這個裝置的特點是可以測量1nm一下的薄膜，也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。

ME-210-T  活用了本公司特有的偏光Senor 技術，將不能變為可能，以往的技術是無法測量0.5mm厚的玻璃基板，在這項技術下，可進行薄膜的測量，舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估，也可運用ME-210-T  輕松達成。

ME-210-T的膜厚分布資料，膜厚測量儀定會對的薄膜產品的生產有大的用途。

ME-210-T膜厚測量儀的特點

1，   的測量速度（每分約1000點：）可短時間內取得高密度的面分布數據。

2，   微小領域量測（20un左右）可簡單鎖定&測量任一微小區域。

3，   可測量透明基板

適用于解析玻璃基板上的薄膜

膜厚測量儀的測量實例

涂布膜邊緣擴大測量

可階段性擴大微小領域，然后獲得詳細的膜厚分布數據

GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布測量

縮小膜厚顯示范圍，膜厚差距不大的樣品，也可以簡單評估、比較其分布狀況

膜厚測量儀的設備參數

項目	規格
光源	半導體激光（636nm、class2）
zui小測量領域	廣域模式：0.5mm×0.5mm
	高精細模式：5.5um×5.5um
入射角	70『deg』
測量再現性	膜厚：0.1nm 折射率：0.001     ※1
zui大測量速度	1000point/min（廣域模式）
	5000point/min（高模式）
載物臺	行程：XY200mm以上 zui大移動速度：約40mm/scc
尺寸/重量	約650×650×1740mm（W×D×H）/約200kg
電源	AC100V
備注	※1：此數值是以廣域模式測量SiO2膜（膜厚約100mm）其中一點，重復測量100次后的標準偏差值

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